二极管 📝发布：2023-06-14 概述 PN结正偏: 当 PN 结的 P 区接外电源正极,N 区接外电源负极时,称为 PN 结外加正向偏置电压.简称 PN 结正偏. PN结反偏: 当 PN 结的 N 区接外电源正极,P 区接外电源负极时,称为 PN 结外加反向偏置电压.简称 PN 结反偏. 载流子: 半导体的电流载体.在半导体中，存在两种载流子，自由电子或者因为电子流失导致共价键上留下的空位(空穴). 多子与少子: 多子即多数载流子,少子即少数载流子.如果在半导体材料中某种载流子占大多数，导电中起到主要作用，则称它为多子.电子型(即N型, negative)半导体中,电子占多数,空穴占少数,所以电子是多子、空穴是少子,空穴型(即P型，positive)半导体中, 空穴占多数, 电子占少数,所以空穴是多子，电子是少子. 扩散运动: 在 P 型半导体与 N 型半导体交界处,电子会从浓度较高的 N 型半导体扩散到浓度较低的 P 型半导体.这种不受外力作用的现象称为扩散运动. 漂移运动: 扩散运动发生前,N 区半导体与 P 区半导体都是电中和的. 当扩散运动发生后, N 型半导体失去电子呈现正电, P 型半导体空穴被电子填充,呈现负电.由 N 到 P 的电场,促使电子由 P 向 N 运动.这种运动称为漂移运动. PN 结：扩散运动与漂移运动使P 型半导体与 N 型半导体交界处存在动态平衡,动态平衡存在的区域称为PN 结. PN 结的反向击穿 分为雪崩击穿与齐纳击穿两种. 雪崩击穿 齐纳击穿 参考视频 + 视频 半导体 半导体 二极管由来 PN结 PN结 二极管比较 压降为 0.7V 的二极管，一般为硅管，一般硅管耐电流小，但耐电压高，频率特性较差； 压降为 0.1V 的二极管，一般为锗管，一般锗管耐电流大，但耐电压低，频率特性较好. 二极管分类 普通二极管 普通二极管特性 恒流二极管 肖特基二极管 快恢复二极管 稳压二极管 瞬态电压抑制二极管(TVS) 瞬态电压抑制二极管视频1 齐纳二极管(稳压二极管) 概述: + 视频 齐纳二极管视频1 齐纳二极管视频2 稳压管稳压原理 郑益慧模拟电子基础 华成英模拟电路 发光二极管 光电二极管 变容二极管 二极管的作用 钳位作用 整流作用 限幅作用 参考链接 1.半导体原理
